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XRF
TXRF V310
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전반사 Wafer 표면오염 측정장치
- 분석 원소 : 11Na ~ 92U
- Wafer size : up to 300mm
- 경원소 검출 가능 : Al, Mg, Na 분석 가능
- X-Y-θ stage 적용 (회절 peak의 간섭제거)
- 18kW high power generator
- 환경, 반도체 등의 극미량 오염 원소 분석 (ppt 단위)
 
제품 특징 

- 웨이퍼 표면의 경원소인 Na 원소부터 중원소까지 오염 원소의 극미량 분석 
- 300 mm까지의 웨이퍼 고속 전면 매핑이나 회절 X-선의 방해를 제거할 수 있는 Stage 구동 
- 세계 최초, 특허 취득으로 유일한 VPD 장치를 장착한 TXRF-V310 은 천이 금속에서 107atoms/cm2 검출  
- 로터형 고출력의 X-선관 및3  beam monochrometer 적용
- Direct 측정 방식으로 전이 금속의 LLD 108atoms/cm2
- Sealed형 방식의 X-선관으로 기존의 1/3의 측정 시간에도 같은 정밀도를 얻을 수 있고, 높은 throughput
- 경원소 Al의 LLD는 108대, 전이금속에서는 106
- 전처리로부터 측정까지 완전 자동으로 분석
- 한 개의 X-선관으로부터 각 원소에 최적으로 단색빔을 취해 오염 원소 측정
- Na, Mg, Al~U까지 고정밀도로 연속적으로 자동으로 분석