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XRF
Wafer X310
  • 요약정보
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  • 고객지원
반도체용 형광 X-선 분석장치
- Wafer size : up to 300mm
- Multi layer film analysis
- 동시 분석 film thickness and composition
- FOUP (SMIF) 장착 가능
- Multi point measuremment
- GEM 300 대응
 
제품 특징

- 분석 원소: 4Be~92U
- 300 mm사이즈까지의 웨이퍼상의 각종 박막의 두께와 조성 측정
- X-Y-θ-Z구동 방식
- 4 kW의 고파워 X-선관
- 금속막 측정을 위해 70μm의 조사 spot 사이즈의 X선원을 미소 부위나 edge부분까지의 막 두께 및 조성 분석 가능
- 반도체 공정: BPSG, SiO2, Si3N4, Doped polySi(B, P, N, As), Wsix, Al-Cu, TiW, TiN, TaN, PZT, BST, SBT, MRAM
- 금속막: Mo, Ti, Co, Ni, Al, Cu, Ir, Pt, Ru 등  
- 자기 디스크: CoCrTa, CoCrPt, DLC, NiP 등  
- 광학 자기 디스크: Tb-FeCo 등  
- 자기 헤드: GMR, TMR 등
- FOUP/SMIF interface
- 200 mm/300 mm 대응
- AMHS에 대응 및 SECS/GEM 프로토콜의 대응