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단결정 결정방위 측정: Si, SiC, Sapphire
Ingot 상태에서 Wafer 가공을 위해 필요한 경사각 방위 측정
축방위 측정
Orientation Flat 방위 측정
각종 반도체 단결정 측정
X-선 단결정 자동방위측정장치 FSAS III
단결정 결정방위 측정: Si, SiC, Sapphire
Ingot 상태에서 Wafer 가공을 위해 필요한 경사각 방위 측정
축방위 측정
Orientation Flat 방위 측정
각종 반도체 단결정 측정
X-선 단결정 자동방위측정장치
FSAS III
Product Features
제품특징
FSAS III
시료에 X-선을 조사하여 얻어낸 회절 피크를 통해 방위를 측정하는 장비로서, Wafer의 가공 정밀도 및 단결정 Ingot 상태에서 Wafer 가공을 위해 필요한 결정면의 경사(편차각)를 X-선 회절피크를 이용하여 높은 정확도로 측정합니다. 측정용 Attachment를 장착하여 다양한 종류의 Wafer 및 Ingot 측정이 가능합니다.
- 결정방위 측정, Orientation Flat 방위 측정이 모두 가능
- 시료 Holder 교환으로 외경, 금구 기준 측정, Wafer 측정 가능
- 각종 반도체의 단결정 측정
- X-선 측정, 광학계 setting의 자동화에 따라 측정결과 신뢰도 향상
- 전자동의 편리성과 안전성을 동시에 고려한 설계
Specifications
제품사양
| Specifications | ||
| X-ray generator | 30W | |
| X-ray tube : Cu | ||
| Goniometer | Incident angle range(θs): 0° to 50° | |
| Receving angle range(θd) : 0° to 50° | ||
| Measuring angle range: ±10° | ||
| Sample stage | Various sample holders: 2 inch, 4 inch, 6inch, 8inch | |
| Detector | Scintillation counter | |
